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国产7nm何时突破?芯片制造成都供卵核心技术再助力!依然面临
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  美国的芯片禁令限制,虽然使我国的华为发展遇到了巨大困难,但同时给全球的半导体产业链造成了重大损失,尤其是美企更成都供卵是受损严重。但却给了我国芯片行业发展的机会,我国芯片行业正在迎来蓬勃发展的黄金发展阶段。

  中芯国际壹肆nm量产、柒nm流片

  尤其是中芯国际也迎来了发展良机,虽然暂时也受美国禁令的限制,不能给华为供货,但也代表着我国芯片制造的最高水平。中芯国际也是抓住机会迅速发展,前一段在国内科创板迅速上市,获得了不少的发展资金。

  近日, 了第三季度财报,交出了一份靓丽的成绩单,增长速度超出预期,当季营收创造了历年来营收最佳纪录,单季净利润也创历史新高!同时,产能和工艺也分别提升,壹肆nm工艺的优良率已达业界量产水准。

  值得一提的是,在稳步推进N+壹工艺技术。据 ,近日中芯国际FinFET N+壹工艺的芯片流片成功,有望于年底前进行小批量试产。据中芯国际联合CEO梁孟松披露,在功率和稳定性方面,N+壹和柒nm工艺非常相似。

  但在性能提升上,比台积电、三星柒nm会低一些,接下来的N+贰工艺,才是对标他们的柒nm高性能版本。也就是说中芯国际目前掌握了柒nm工艺,跟台积电的差距仅剩壹代,因此也成为全球第四个进入壹零nm技术的芯片制造企业。

  芯片制造核心技术突破再次助力

  中芯国际取得了突出的成绩,但目前在设备和材料方面,很大部分还是依赖国外,真正实现国产化,还有赖于芯片相关国产替代的大力发展。要进行高端芯片制造,涉及到多个方面,包括光刻机、蚀刻机、高能离子注入机等芯片设备和光刻胶等相关材料,所幸的是我们一直在努力,并且在多个方面已经取得了突破。

  蚀刻机已经伍nm,达到国际领先水平,现在台积电生产伍nm芯片都在用,我们用于生产柒nm肯定不成问题。高能离子注入机,也已实现百万电子伏特高能离子加速,性能达到国际先进水平。国产光刻机也将于明年开始交付国内首台贰捌nm浸没式光刻机,据说通过多次爆光,可用于生产柒nm,但应该还需要时间。

  可喜的是,在芯片制造材料上也有了重大突破。南大光电完成了国内首条ArF光刻胶生产线,并已经投入生产,这种ARF光刻胶可用于柒nm极其以上的芯片制造。这个意义十分重大,要知道光刻胶技术被日美垄断多年。

  光刻胶在芯片制造过程中占有非常重要的地位,此前只能靠进口。中芯国际的芯片生产受制于美国,这是其中重要的一项。现在,光刻胶的技术突破,可有助于中芯进一步摆脱美国控制,这使我国实现高端芯片国产化进一步加速!

  高端芯片制造依然面临三大隐忧

  中芯国际是我国最大、制程最先进的晶圆代工厂,堪称中国内地版台积电。现在N+壹工艺的芯片流片成功,代表着中芯国际已经初步掌握了柒nm工艺,但最终实现量产才算成功,据行业人士分析,估计明年能够实现。但现在依然面临三大隐忧。

  首先,高端EUV光刻机依然不可获得。国产光刻机目前还不能用于生产高端芯片,只能使用进口光刻机。虽然荷兰ASML的DUV光刻机出口已经不受限制,可以用于生产柒nm芯片,此前台积电也是这么做的,但成本相对较高。另外,想要继续进行伍nm制程研发,还是需要EUV光刻机。

  其次,配件及原材料进口仍可能被限制。芯片制造过程相当复杂,所需的配件和材料也是种类繁多,虽然目前国内有些已经突破可以替代,但还有不少依赖进口,并且很多都是美国公司,即使日韩公司,使用了美国设备和技术生产的也受限制。因此,如果美国限制,中芯芯片制造将无法生产。

  再者,受美国芯片禁令影响不能供华为。就目前的情况,中芯国际依然受到美国芯片禁令的影响,不能给身陷芯片困难中的华为代工芯片。虽然中芯国际也已经向美国商务部提出了申请,但目前还没有结果。不过,除了华为,国内其它的企业是可以使用的,所以中芯国际的进步对国内整体芯片行业还是十分有利的。

  大家不要纠结中芯国际不能给华为代工芯片,中芯国际担负的是我国高端芯片制造的探索,代表的是整个中国的芯片水平。但要实现高端芯片设计制造全部国产化,还需要国内建成完善成熟的芯片产业链,需要众多上下游企业的共同努力!相信在不远的时间,“中国芯”一定会实现突破!



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